-
Продукт
-
-
-
-
-
Контакты
Приборная установка для анализа микротечений фотонов EMMI
Тестовая система EMMI
- описание
- параметр
- скачать
- видео
-
Оборудование системы анализа локализации микропотерь фотонов EMMI является важным инструментом в области анализа отказов интегральных схем; для специалистов по анализу неисправностей локализация утечек электричества является обязательным средством. В процессе работы чипов явления микропотерь электричества встречаются довольно часто, причём даже незначительные утечки в экстремальных условиях могут неограниченно усиливаться, приводя к выходу из строя как отдельного чипа, так и всей системы управления. Именно поэтому исследование микропотерь электричества на уровне чипа занимает исключительно важное место в процессе анализа отказов интегральных схем.
Для анализа отказов полупроводниковых приборов с широкой запрещенной зоной (таких как GaN и SiC) компания представила систему EMMI-тестирования с диапазоном спектральной чувствительности 400–1000 нм. Данная система позволяет точно локализовать места утечки тока на уровне микроампер в таких устройствах, как GaN HEMT, GaN-светодиоды, SiC-фотодетекторы, SiC-пн-переходы, кремниевые МОП-транзисторы и интегральные схемы. Система обладает пространственным разрешением менее 1 мкм и способна формировать изображения даже крайне слабых световых сигналов.
-
- Максимальный квантовый выход: 82% @ 560 нм
- Эффективное разрешение: 2048*2048
- Эффективная площадь: 13,312 мм × 13,312 мм
- Температура охлаждения: 10℃
- Темновой ток: 0,6 электронов/пиксель/секунда
- Частота кадров: 30 Гц
- Диапазон длин волн: 400 нм – 1100 нм
- Интерфейс: USB 3.0