-
Продукт
-
-
-
-
-
Контакты
Прямотоковая проверка IV/CV
1. Создание тестовой платформы: в качестве основного компонента используется высокоточный зондовый стол, который дополняется измерительными приборами, такими как источник постоянного тока/источник-измеритель, LCR-метр (для CV-тестов), низкошумящий осциллограф и другими устройствами. Система взаимодействия обеспечивается через интерфейсы GPIB/LAN и другие подключения.
(1) Основное оборудование: высокоточный зондовый стол (оснащённый субмикронной системой позиционирования и вакуумным адсорбирующим столом), измеритель постоянного тока с источником тока (точность не менее 0,1%), измеритель LCR (диапазон частот от 1 кГц до 1 МГц), термостатический модуль (опционально, диапазон температур от -55°C до 125°C).
2. Подбор ключевых компонентов: в соответствии с объектом тестирования выбираются подходящие зонды (например, бериллиево-медные или вольфрамовые зонды), которые устанавливаются на платформу с вакуумной или электростатической фиксацией для надежного закрепления образца. При необходимости используется модуль терморегулирования, позволяющий имитировать различные рабочие температуры.
3. Разработка процесса тестирования: реализация автоматизированного тестирования с помощью программного обеспечения (например, LabVIEW), охватывающего полный цикл — от контакта зонда и настройки параметров до сбора данных, построения кривых (например, I-V и C-V характеристик) и формирования отчетов.
Основные решаемые проблемы и технические аспекты
Надежность контакта: используется высокоточная система позиционирования зонда (с точностью до долей микрона), а также контролируется давление зонда (обычно от 1 до 50 г), что позволяет избежать повреждения образца или нарушения контакта.
Контроль оптоэлектрических характеристик обычно включает испытания по следующим направлениям:
1. Тестирование оптоэлектрических характеристик: путём подачи источника света на оптоэлектронные устройства измеряется их способность реагировать на световые сигналы, включая параметры, такие как фототок, фотоэлектрическое напряжение и эффективность оптико-электрической преобразования.
2. Тестирование спектральных характеристик: измерение отклика оптоэлектронных устройств в различных диапазонах длин волн для оценки их чувствительности и селективности к световым сигналам разной длины волны.
3. Тестирование параметров устройств: включает проверку электрических характеристик оптоэлектронных компонентов, таких как сопротивление, ёмкость и индуктивность, для оценки их электрических свойств.
4. Тестирование времени отклика: измерение скорости реакции оптоэлектронных устройств на световые сигналы, включая тестирование таких параметров, как время нарастания и время спада.
В настоящее время широко встречающаяся сложность заключается в том, как эффективно проводить тестирование на уровне оптических чипов. При тестировании оптических чипов важно их соединение с другими компонентами. Проблемы низкой эффективности, больших потерь при сопряжении и недостаточной автоматизации тестовых решений стали общими запросами. В частности, при испытаниях на напряжение в нерабочих условиях необходимо обеспечить длительное воздействие высоких и низких температур. Например, для светодиодных матриц с высокой плотностью микроскопической интеграции на основе Micro-LED, где расстояние между пикселями составляет порядка 10 микрон, требуется микроскоп с высоким разрешением и большим увеличением, а также предъявляются повышенные требования к точности зондов и их держателей.
- Навигация по технологиям: с помощью параметров количественно оценивается эффективность процессов, что позволяет быстро выявлять отклонения на этапах литографии, легирования и других операций, ускоряя оптимизацию технологических процессов.
Проверка производительности: проведение испытаний на переключение, проводимость и качество поверхности нового устройства с целью подтверждения обоснованности дизайна и снижения затрат, связанных с пробами и ошибками.
Надежное предупреждение: на основе имитационных испытаний в условиях окружающей среды, с учетом изменения параметров, прогнозируется риск возникновения отказов в экстремальных рабочих условиях, что способствует обеспечению надежного проектирования.
2. На производственном участке: контроль и управление качеством
Партийная сортировка: автоматизированное поэлементное тестирование кристаллов, эффективный отбор годных устройств, соответствующий темпу массового производства.
- Мониторинг производственного процесса: анализ колебаний параметров партий, оперативный контроль стабильности технологических процессов для предотвращения брака в массовом производстве.
Оптимизация затрат: перед упаковкой отбраковывать бракованные изделия, чтобы сократить неэффективные вложения; поддерживать классификацию компонентов и повышать их добавленную стоимость.
3. Анализирующая сторона: проблема локализации представлений
Анализ неисправностей: с помощью анализа аномальных кривых выявляются типы отказов, позволяя глубже исследовать причины, такие как пробой оксидного слоя и дефекты на границе раздела.
- Истоки характеристик: восстановление степени деградации производительности устройств, сравнение качества устройств от разных поставщиков для поддержки выбора.
Механизм интерпретации: извлечение из параметров микроскопической физической информации, такой как плотность стационарного заряда и влияние поверхностных состояний, что способствует исследованию механизма.