-
-
Криогенная низковакуумная зондовая платформа с высокой и низкой температурой
Подробнее
-
Вакуумная высокотемпературная и низкотемпературная зондовая платформа серии CGO
Подробнее
-
Вакуумная высокотемпературная зондовая платформа с замкнутым циклом серии CRX
Подробнее
-
Вакуумная высокотемпературная зондовая платформа M001
Подробнее
-
Вакуумная высокотемпературная зондовая платформа M002
Подробнее
-
Криогенная сверхпроводящая вакуумная зондовая платформа CRX-SM
Подробнее
-
Приборная установка для анализа микротечений фотонов EMMI
Подробнее
-
Прибор для тестирования полупроводниковых параметров FS-Pro
Подробнее
-
Анализатор пьезоэлектрической проводимости TF Analyzer 1000
Подробнее
-
Анализатор пьезоэлектрических свойств TF Analyzer 2000E
Подробнее
-
Сигнальные/спектральные анализаторы серии 4051A/B/C/D/E–S
Подробнее
-
Термоэлектрический вольтамперометр TF Analyzer 3000
Подробнее
Продукт
-
-
-
-
-
Решения
Благодаря многолетнему накопленному опыту сотрудничества Cindbest уже превратил множество технических наработок в реальные рыночные решения; благодаря постоянным технологическим усовершенствованиям компания успешно помогает клиентам оптимизировать тестовые процессы и добиваться более точных результатов измерений.
Суть прямого тока IV/CV-тестирования на зондовой платформе заключается в создании электрического контакта с помощью зонда, что позволяет совместно с испытательным оборудованием проводить точные измерения характеристик тока-напряжения (IV) и ёмкости-напряжения (CV) полупроводниковых устройств для оценки их производительности и надежности.
Основа оптико-электрического тестирования на зондовой платформе — это формирование замкнутого контура преобразования и детектирования «свет-электричество». Благодаря точно контролируемым условиям освещения и стабильному электрическому контакту зонда осуществляется измерение электрических характеристик оптоэлектронных устройств под воздействием светового возбуждения, что позволяет оценить их эффективность и производительность в области фотоэлектрического преобразования.
Суть лазерной исправительной проверки на зондовой платформе заключается в точном определении дефектов и их целенаправленной коррекции. В частности, с помощью высокоточной системы позиционирования зондовой платформы, совместно с оптическими приборами, такими как микроскоп, точно выявляется место дефекта на полупроводниковом устройстве. Затем лазерный луч используется для выполнения ремонтных операций непосредственно в области дефекта: например, для разрушения избыточных соединений, устранения замыканий, корректировки сопротивления или нанесения материалов, что позволяет восстановить нормальную функциональность устройства.
Решение для холловского тестирования на зондовой платформе является ключевой технологией для электрической характеристики полупроводниковых материалов и устройств. Благодаря интеграции высокоточной механической манипуляции, стабильного подвода магнитного поля, точного контроля окружающей среды и интеллектуального анализа сигналов достигается неразрушающее высокоточное измерение таких важных параметров, как концентрация носителей заряда, их подвижность и тип проводимости.
Суть решения для радиочастотного тестирования на зондовой платформе заключается в обеспечении точной передачи радиочастотных сигналов, без искажений при измерениях и системной калибровке ошибок на уровне подложки. Благодаря интеграции высокоточной механики, высокочастотных сигнальных трактов и технологий интеллектуальной калибровки решаются ключевые проблемы высокочастотного диапазона, такие как эффект скин-эффекта, несоответствие импеданса и паразитные помехи. В конечном итоге это позволяет получить важнейшие радиочастотные характеристики тестируемого устройства (DUT), включая S-параметры, мощность и фазу.
Тестирование кремниевой фотоники, тестирование высокомощных устройств, высокотемпературные и низкотемпературные вакуумные испытания с изменением температуры, испытания под высоким напряжением и при больших токах и многое другое.